半導體分立器件靜態參數測試系統
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人氣：131 發布時間：2025-05-09 13:33 產品型號：PMST-3500V/2000A 應用領域：電磁輻射 產品價格：1000 想了解更多產品詳情，請 |
半導體分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的最佳工具之一是半導體分立器件靜態參數測試系統，普賽斯半導體分立器件靜態測試系統集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢一八一四零六六三四七六
系統特點和優勢：
單臺Z大3500V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大6000A；
15us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標全指標的自動化測試；
系統指標
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項目 |
參數 |
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集電極-發射極 |
Z大電壓. |
3500V |
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Z大電流 |
6000A |
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精度 |
0.10% |
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大電壓上升沿 |
典型值5ms |
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大電流上升沿 |
典型值15us |
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大電流脈寬 |
50us~500us |
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漏電流測試量程 |
1nA~100mA |
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柵極-發射極 |
Z大電壓 |
300V |
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Z大電流 |
1A(直流)/10A(脈沖) |
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精度 |
0.05% |
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Z小電壓分辨率 |
30uV |
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Z小電流分辨率 |
10pA |
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電容測試 |
典型精度 |
0.5% |
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頻率范圍 |
10Hz~1MHz |
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電容值范圍 |
0.01pF~9.9999F |
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溫控 |
范圍 |
25℃~150℃ |
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精度 |
±1℃ |
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測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯半導體分立器件靜態參數測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。
選擇普賽斯儀表的理由
武漢普賽斯是國內最早生產源表的廠家，產品系列豐富：產品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產已經過了市場的考驗、市面有近500臺源表在使用；
普賽斯儀表特色：高電流、高電壓測試，3500V電壓下可測量pA級漏電流，1000A脈沖電流源15us的超快上升沿。
