大功率半導體測試設備功率器件靜態參數測試系統
 |
人氣：42 發布時間：2025-07-30 15:29 產品型號：PMST3520 應用領域：電磁輻射 產品價格：1000 想了解更多產品詳情，請 |
系統特點
高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
模塊化設計：內部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據測試需求可定制夾具；
測試項目
二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
PMST系列功率器件靜態參數測試系統，是普賽斯儀表經過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統。該系統不僅具備IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著優勢。它能夠全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的卓越表現。
此外，普賽斯儀表功率半導體靜態參數測試解決方案還支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實現高效和可重復的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從pA級、mV級高精度源表到kA級、10kV源表，普賽斯的產品解決了國內企業在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產化問題，并在客戶IGBT產線上推出了多條測試示范線，引領了國內IGBT測試的技術潮流。
聯系我們：
武漢普賽斯儀表有限公司 陶女士
Web:
Add:武漢市東湖技術開發區光谷三路777號6號保稅物流園6號樓4樓
Tel：027-87993690
Mobile:18140663476
QQ：1993323884
Email:taof@whprecise.com
